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      英飛凌IGBT模塊FZ800R12KL4C

      英飛凌IGBT模塊FZ800R12KL4C

      • 所屬分類:IGBT模塊
      • 瀏覽次數:
      • 發布日期:2021-09-03 16:00:09
      • 產品概述
      • 性能特點
      • 技術參數

      IGBT模塊應用:

      IGBT是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例scr.gto,gtr,mosfet,雙極型達林頓管等淚今功率可高達1mw的低頻應用中,單個元件電壓可達4.okv(pt結構)一6.5kv(npt結構),電流可達1.5ka,是較為理想的功率模塊。

      IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調速外,600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB,大大降低電路接線電感,提高系統效率,現已開發成功第二代IPEM,其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。


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      IGBT模塊 晶閘管
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