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      英飛凌IGBT模塊FF300R12ME4

      英飛凌IGBT模塊FF300R12ME4

      • 所屬分類:IGBT模塊
      • 瀏覽次數:
      • 發布日期:2021-09-03 15:57:25
      • 產品概述
      • 性能特點
      • 技術參數

      IGBT模塊應用:

      IGBT是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例scr.gto,gtr,mosfet,雙極型達林頓管等淚今功率可高達1mw的低頻應用中,單個元件電壓可達4.okv(pt結構)一6.5kv(npt結構),電流可達1.5ka,是較為理想的功率模塊。

      IGBT模塊使用注意事項:

      由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一?!∫虼耸褂弥幸⒁庖韵聨c:

      1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;

      2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;

      3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

      在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極zui大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。

      此外,在柵極—發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發熱及至損壞。

      在使用IGBT的場合,當柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。


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